EE1305 P212-0023 ee3 3 V 1 U 5 3 ja Deutsch Klausur EE1305 Erneuerbare Energien/Energiesystemtechnik 3 Pflichtfach Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtaufwand des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Stunden/ECTS Punkt). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 105 Stunden zur Verfügung. Prof. Dr. Wenmin Qu wqu Prof. Dr. Wenmin Qu wqu - Es wird ein fundamentales ingenieurwissenschaftliches Grundwissen von Halbleiterbauelementen und elektronischen Schaltungen angelegt - Befähigung zum Entwurf einfacher und häufig vorkommender Schaltungen, insbesondere Leistungsansteuerungsschaltungen und Operationsverstärkerschaltungen zur analogen Signalverarbeitung und zur Signalgenerationen - kompliziertere Schaltungen nachvollziehend verstehen Kondensator C und Spule L in Elektronik: Ausgleichvorgängen im C und L, Zeitkonstante und ihre Bedeutung, RC-Glied, Hoch- bzw. Tiefpassfilter, Bode-Diagramme, LCR-Oszillatoren. Dioden: Halbleiter-Materialien, Dotierung, p- und n-Leiter; Aufbau und Funktionsprinzip, Ersatzschaltbild und Kennlinie; Spezielle Dioden (Zener-Diode, Fotodiode und LEDs). Anwendungen von Dioden als Gleichrichter, Amplitudenbegrenzer, Hüllkurvendemodulator und Spannungsstabilisator. Bipolartransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Kennlinien und Arbeitsbereich, Statische und dynamische Eigenschaften, Arbeitspunkteinstellung, Transistorgrundschaltungen, Stromspiegel und Stromquelle, Temperaturverhalten und Stabilisierung. Thyristoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Eingangs- und Ausganskennlinien, Thyristor als steuerbaren Gleichrichter, Phasenanschnittsteuerung. Leistungselektronik: Leistungsdioden und Leistungstransistoren, Darlingtontransistoren, Transistor als Schaltelement für Energiesteuerung, Ausräumstrom und Verzögerungszeit, Verlustleistung und Wärmeableitung, Dimensionierung des Kühlköpers. Leistungsverstärker, A-, B- und AB-Betrieb, Komplementärendstufe. Feldeffekttransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip von Sperrschicht-, Isolierschicht-, n-Kanal- und p-Kanalfeldeffekttransistoren, Kennlinien und Eigenschaften, FET-Schaltungen; IGBTs. Operationsverstärker: Aufbau und Eigenschaften, Betriebsspannung und Aussteuerbarkeit. Grundschaltungen mit Operationsverstärkern, Kenndaten, Gegenkopplungsprinzip, Frequenzgang, Verstärkungs-Bandbreiteprodukt, Schaltungsdimensionierung und Stabilität; Lineare und nichtlineare Analogrechenschaltungen, Komparator-Schaltungen, Schmitt-Trigger, Multivibrator, aktive Filter mit Operationsverstärkern, Oszillatoren. PC, Beamer Bystron, Klaus; Borgmeyer, Johannes: Grundlagen der Technischen Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig, 1990, 2. Aufl. Cooke, Mike J.: Halbleiter-Bauelemente, Hanser, 1993, ISBN 3-446-16316-6 Giacoletto L.J.: Electronics Designer"s Handbook, McGraw-Hill, 1977 Koß, Günther; Reinhold, Wolfgang; Hoppe, Friedrich: Lehr- und ßbungsbuch Elektronik, Hanser, (akt. Aufl.) Millman, Jacob; Grabel, Arvin: Microelectronics, McGraw-Hill, 1987, 2nd Ed., ISBN 0-07-100596-X Möschwitzer, Albrecht: Grundlagen der Halbleiter- & Mikroelektronik, Band 1: Elektronische Halbleiterbauelemente, Hanser, 1992 Müller, Rudolf: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Springer, 1995, 7. Aufl. Reisch, Michael: Elektronische Bauelemente: Funktion, Grundschaltungen, Modellierung mit SPICE, Springer, (akt. Aufl.) Tietze, Ulrich; Schenk, Christoph: Halbleiterschaltungstechnik, Springer, (akt. Aufl.) Sun Jun 7 21:42:23 CEST 2026, CKEY=b3EE1305, BKEY=ee3, CID=[?], LANGUAGE=de, DATE=07.06.2026