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| Code:  DFBGE-068 | 
| 3V+2U (5 Semesterwochenstunden) | 
| 5 | 
| Studiensemester: 3 | 
| Pflichtfach: ja | 
| Arbeitssprache: Deutsch
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| Prüfungsart: Klausur
 
 [letzte Änderung 03.11.2015]
 
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| DFBGE-068 Elektrotechnik - Erneuerbare Energien und Systemtechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2018
, 3. Semester, Pflichtfach
 DFBGE-068 Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2015
, 3. Semester, Pflichtfach
 
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| Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 75 Veranstaltungsstunden (= 56.25 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 93.75 Stunden zur Verfügung. | 
| Empfohlene Voraussetzungen (Module): DFBGE-007 Électricité, électrostatique, magnétostatique
 DFBGE-016 Bases de l´électronique
 DFBGE-018 Vibrations + circuits électriques
 
 
 [letzte Änderung 21.01.2016]
 
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| Als Vorkenntnis empfohlen für Module: 
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| Modulverantwortung: Prof. Dr. Xiaoying Wang
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| Dozent/innen: Prof. Dr. Volker Schmitt
 
 
 [letzte Änderung 21.01.2016]
 
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| Lernziele: Basierend auf dem vermittelten Grundlagenwissen zu den Eigenschaften elektronischer Bauelemente - hier Dioden und Bipolartransistoren - werden die Studierenden dazu befähigt, verschiedene rechnerische und grafische Methoden zur Schaltungsanalyse und
 -dimensionierung anzuwenden. Sie können damit vorgegebene Schaltungen funktionell  verstehen und einfache vorgegebene Funktionen unter Beachtung einschränkender Randbedingungen in Schaltungen umsetzen.
 
 
 [letzte Änderung 03.11.2015]
 
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| Inhalt: -        Grundbegriffe, Übersicht
 -        Dioden: Kennlinie, Arbeitspunkt, Amplitudenbegrenzer, Gleichrichter, Spitzenstrom, Welligkeit, Glättung, Spannungsverdoppler, Sampling-Gate, Spannungsstabilisierung, Hüllkurvendemodulator,
 -        stückweises lineares Diodenmodell, Kleinsignalersatzschaltbild,
 -        Temperaturverhalten, Sperrschicht- und Diffusionskapazität, Durchbruchmechanismen,
 -        Spezielle Dioden: PIN-Diode, Zenerdiode, Backward-Diode, Tunneldiode, Varaktordiode, Schottky-Diode, Fotodiode, Solarzelle, Leuchtdiode,
 -        Kurzeinführung in die Schaltungssimulation mittels PSPICE,
 -        Bipolartransistoren: Aufbau, Kennlinien, Ebers-Moll-Gleichungen, Betriebsbereiche, statische und dynamische Eigenschaften, Temperaturverhalten, Grenzdaten,
 -        Schaltungsvarianten zur Arbeitspunkteinstellung, Stabilisierung,
 -        Parameterdarstellungen: H- und Y-Parameter, Betriebsgrößen, H-Parameter und Kennlinienfeld, Y-Parameter und Grundschaltungen des Bipolartransistors,
 -        Kleinsignalverstärker mit Bipolartransistoren: Giacoletto-Modell, charakteristische Grenzfrequenzen, NF-Verhalten, HF-Verhalten,
 -        Leistungsverstärker mit Bipolartransistoren: A-, B- und AB-Betrieb, Wirkungsgrad
 
 
 [letzte Änderung 03.11.2015]
 
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| Weitere Lehrmethoden und Medien: Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Aufgabenblättern
 
 [letzte Änderung 03.11.2015]
 
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| Literatur: M. J. COOKE: Halbleiter-Bauelemente; Hanser Verlag, ISBN 3-446-16316-6
 M. REISCH: Elektronische Bauelemente; Springer Verlag, ISBN 3-540-60991-1
 A. MÖSCHWITZER: Grundlagen der Halbleiter- & Mikroelektronik, Band 1: Elektronische Halbleiterbauelemente; Hanser Verlag
 BYSTRON/BORGMEYER: Grundlagen der technischen Elektronik; Hanser Verlag
 R. MÜLLER: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik; Springer Verlag
 J. MILLMAN, A. GRABEL: Microelectronics; Mc Graw Hill Verlag, ISBN 0-07-100596-X
 TIETZE, SCHENK: Halbleiterschaltungstechnik; Springer Verlag
 GIACOLETTO, LANDEE: Electronics Designer´s Handbook; Mc Graw Hill Verlag
 GÜNTHER KOß, WOLFGANG REINHOLD: Lehr- und Übungsbuch Elektronik; Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6
 
 
 [letzte Änderung 03.11.2015]
 
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