BMT.E1402 P211-0031, P211-0033 bmt2 3 V 1 U 2 P 7 4 ja Deutsch Klausur (67%) und Ausarbeitung (6 studienbegleitende Laborversuche, 33%) BMT.E1402 Biomedizinische Technik 4 Pflichtfach BMT.E1402 Biomedizinische Technik 4 Pflichtfach E1402 Elektrotechnik 4 Pflichtfach Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 90 Veranstaltungsstunden (= 67.5 Zeitstunden). Der Gesamtaufwand des Moduls beträgt bei 7 Creditpoints 210 Stunden (30 Stunden/ECTS Punkt). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 142.5 Stunden zur Verfügung. Prof. Dr. Xiaoying Wang xwa Prof. Dr. Xiaoying Wang xwa Ausgehend von den dargestellten grundlegenden und weiterführenden Schaltungsprinzipien werden die Studierenden befähigt, verschiedenste analoge und digitale Schaltungen zu verstehen und eigenständig zu entwerfen. Sie wenden dazu die in der Vorlesung Elektronik I schon behandelten rechnerischen und grafischen Methoden zur Schaltungsanalyse und -dimensionierung, ggf. in modifizierter Form, auch auf Schaltungen mit Feldeffekttransistoren und Operationsverstärkern an. An den im Praktikum durchzuführenden Versuchen erlernen die Studierenden den Umgang mit den typischen Messmitteln eines Elektroniklabors sowie die Aufbereitung der gewonnenen Messergebnisse. - Operationsverstärker als Bauelement: Begriffe und Definitionen, Stabilität und Kompensation, Verstärkungs-Bandbreite-Produkt, nichtinvertierender und invertierender Verstärker, Differenzverstärker, aktive Filter, Längsregler, logarithmischer Verstärker, Exponentialverstärker, Komparator, Schmitt-Trigger, astabiler Multivibrator, monostabiler Multivibrator, - Feldeffekttransistoren: Sperrschichtfeldeffekttransistoren, Isolierschichtfeldeffekt-transistoren, n-Kanal und p-Kanal, Aufbau, Funktion, Kennlinien, Eigenschaften, Temperaturverhalten, FETTetrode, Kleinsignalmodelle, - Schaltungen mit Feldeffekttransistoren: Arbeitspunkteinstellung, spannungsgesteuerter Widerstand, Kleinsignalverstärker, MOSFET-Inverter, NMOS-Gatter, CMOS-Gatter, - Logikschaltungen mit Dioden und Bipolartransistoren: statisches Schaltverhalten und dynamisches Schaltverhalten von Diode und Bipolartransistor, Dioden-Transistor-Logik (DTL), Transistor-Transistor-Logik (TTL), Multiemittertransistor, - Schaltungsprinzipien in Operationsverstärkern, Differenzverstärker, Kleinsignalverhalten, Transferkennlinie, Arbeitspunkte, Stromquellenschaltungen, Pegelschiebung, Endstufe, - ECL-Gatter: Inverter, NOR-, OR-Funktion, NAND-, AND-Funktion, - Oszillatoren: Auswahlkriterien, Frequenzstabilität, RC, LC, Quarz, Anschwingbedingung, offene Schleifenverstärkung, Parameterdarstellung, Schaltungen, - Aufbau und Herstellung von Si-Planartransistoren: Masken, Lithografie, Ätzen, Dotierung - Praktikumsversuche: Halbleiterdioden, Halbleiterkennlinien, Transistorgrundschaltungen, Transistorschaltverhalten sowie TTL- und CMOS-Technik, Operationsverstärker, Speicher und programmierbare Logik Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Übungsblättern, Anleitungen zum Praktikum Bystron, Klaus; Borgmeyer, Johannes: Grundlagen der Technischen Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig Cooke, M.J.: Halbleiter-Bauelemente, Hanser, ISBN 3-446-16316-6 Giacoletto, Landee: Electronics Designer"s Handbook, Mc Graw Hill Koß, Günther; Reinhold, Wolfgang: Lehr- und Übungsbuch Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6 Millman, J.; Grabel, A.: Microelectronics, Mc Graw Hill, ISBN 0-07-100596-X Möschwitzer, A.: Grundlagen der Halbleiter& Mikroelektronik, Band 1: Elektronische Halbleiterbauelemente, Hanser Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Springer Reisch, M.: Elektronische Bauelemente, Springer, ISBN 3-540-60991-1 Tietze; Schenk: Halbleiterschaltungstechnik, Springer Sun Jun 7 21:39:14 CEST 2026, CKEY=eeij, BKEY=bmt2, CID=[?], LANGUAGE=de, DATE=07.06.2026