BMT1304 P213-0073, P213-0074, P213-0075 bmt2 3 V 2 U 5 3 ja Deutsch Teilleistungen BMT1304 Biomedizinische Technik 3 Pflichtfach Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 75 Veranstaltungsstunden (= 56.25 Zeitstunden). Der Gesamtaufwand des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Stunden/ECTS Punkt). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 93.75 Stunden zur Verfügung. BMT1404 Elektronische Schaltungs- und Messtechnik Prof. Dr. Wenmin Qu wqu Prof. Dr. Wenmin Qu wqu Es wird ein fundamentales ingenieurwissenschaftliches Grundwissen der Elektronik in der Biomedizintechnik angelegt. Verständnis der Funktion und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen und Transistorgrund-schaltungen. Erweiterung zu Transistor-Verbundschaltungen. Befähigung zum Entwurf einfacher häufig vorkommender Schaltungen Einführung: Halbleiter-Materialien, Dotierung, p- und n-Leiter, Planartechnik, Moore`s law. Dioden: Aufbau und Funktionsprinzip, Ersatzschaltbild und Kennlinie, Modell und Kleinsignalanalyse; Spezielle Dioden: PIN-Diode, Zenerdiode, Tunneldiode, Schottky-Diode, Fotodiode, LED und Solarzelle. Anwendungen von Dioden als Gleichrichter, Amplitudenbegrenzer, Hüllkurvendemodulator und Spannungsstabilisator . Bipolartransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Kennlinien und Arbeitsbereich, Statische und dynamische Eigenschaften, Arbeitspunkteinstellung, Transistorgrundschaltungen, Stromspiegel und Stromquelle, Temperaturverhalten und Stabilisierung. Thyristoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Eingangs- und Ausganskennlinien, Thyristor als steuerbaren Gleichrichter, Phasenanschnittsteuerung. Feldeffekttransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip von Sperrschicht-, Isolierschicht-, n-Kanal- und p-Kanalfeldeffekttransistoren, Kennlinien und Eigenschaften, Kleinsignalmodelle, Schaltungen mit Feldeffekttransistoren. Kurzeinführung in die Schaltungssimulation mittels PSPICE. Anwendung von Transistoren: - Leistungsverstärker: Leistungstransistoren, Darlingtontransistoren, IGBT, Verlust und Wirkungsgrad, A-, B- und AB-Betrieb, Komplementärendstufe, Kurzschlussfestschaltung. - Transistoren als Schaltelemente: Schaltverhalten von Leistungsdioden und Leistungstransistoren, Ausräumstrom und Verzögerungszeit, Verlustleistung und Wärmeableitung, Dimensionierung des Kühlköpers, induktive Last und Freilaufdiode. Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Aufgabenblättern Sun Jun 7 21:51:47 CEST 2026, CKEY=beid, BKEY=bmt2, CID=[?], LANGUAGE=de, DATE=07.06.2026