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Code: BMT.E1303 |
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3V+2U (5 Semesterwochenstunden) |
5 |
Studiensemester: 3 |
Pflichtfach: ja |
Arbeitssprache:
Deutsch |
Prüfungsart:
Klausur
[letzte Änderung 10.02.2013]
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BMT.E1303 (P211-0005) Biomedizinische Technik, Bachelor, ASPO 01.10.2011
, 3. Semester, Pflichtfach
BMT.E1303 (P211-0005) Biomedizinische Technik, Bachelor, ASPO 01.10.2013
, 3. Semester, Pflichtfach
E1303 (P211-0005) Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2012
, 3. Semester, Pflichtfach
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Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 75 Veranstaltungsstunden (= 56.25 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 93.75 Stunden zur Verfügung.
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Empfohlene Voraussetzungen (Module):
Keine.
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Als Vorkenntnis empfohlen für Module:
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Modulverantwortung:
Prof. Dr. Xiaoying Wang |
Dozent/innen: Prof. Dr. Xiaoying Wang
[letzte Änderung 11.11.2013]
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Lernziele:
Basierend auf dem vermittelten Grundlagenwissen zu den Eigenschaften elektronischer Bauelemente - hier Dioden und Bipolartransistoren - werden die Studierenden dazu befähigt, verschiedene rechnerische und grafische Methoden zur Schaltungsanalyse und -dimensionierung anzuwenden. Sie können damit vorgegebene Schaltungen funktionell verstehen und einfache vorgegebene Funktionen unter Beachtung einschränkender Randbedingungen in Schaltungen umsetzen.
[letzte Änderung 05.05.2013]
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Inhalt:
- Grundbegriffe, Übersicht - Dioden: Kennlinie, Arbeitspunkt, Gleichrichter, Spitzenstrom, Welligkeit, Glättung, Spannungsvervielfacher, Amplitudenbegrenzer, Sampling-Gate, Spannungsstabilisierung, Hüllkurvendemodulator, - stückweises lineares Diodenmodell, Kleinsignalanalyse, Kleinsignalersatzschaltbild, - Temperaturverhalten, Sperrschicht- und Diffusionskapazität, Durchbruchmechanismen, - Spezielle Dioden: PIN-Diode, Zenerdiode, Backward-Diode, Tunneldiode, Varaktordiode, Schottky-Diode, Fotodiode, Solarzelle, Leuchtdiode, Laserdiode - Kurzeinführung in die Schaltungssimulation mittels PSPICE, - Bipolartransistoren: Aufbau, Kennlinien, Ebers-Moll-Gleichungen, Betriebsbereiche, statische und dynamische Eigenschaften, Temperaturverhalten, Grenzdaten, - Schaltungsvarianten zur Arbeitspunkteinstellung, Stabilisierung, - Parameterdarstellungen: H- und Y-Parameter, Betriebsgrößen, H-Parameter und Kennlinienfeld, Y-Parameter und Grundschaltungen des Bipolartransistors, - Kleinsignalverstärker mit Bipolartransistoren: Giacoletto-Modell, charakteristische Grenzfrequenzen, NF-Verhalten, HF-Verhalten, - Leistungsverstärker mit Bipolartransistoren: A-, B- und AB-Betrieb, Wirkungsgrad
[letzte Änderung 05.05.2013]
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Weitere Lehrmethoden und Medien:
Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Aufgabenblättern
[letzte Änderung 14.04.2013]
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Literatur:
Bystron, Klaus; Borgmeyer, Johannes: Grundlagen der Technischen Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig Cooke, M.J.: Halbleiter-Bauelemente, Hanser, ISBN 3-446-16316-6 Giacoletto, Landee: Electronics Designer´s Handbook, Mc Graw Hill Koß, Günther; Reinhold, Wolfgang: Lehr- und Übungsbuch Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6 Millman, J.; Grabel, A.: Microelectronics, Mc Graw Hill, ISBN 0-07-100596-X Möschwitzer, A.: Grundlagen der Halbleiter& Mikroelektronik, Band 1: Elektronische Halbleiterbauelemente, Hanser Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Springer Reisch, M.: Elektronische Bauelemente, Springer, ISBN 3-540-60991-1 Tietze; Schenk: Halbleiterschaltungstechnik, Springer
[letzte Änderung 14.04.2013]
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